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Il primo stadio del trasmettitore ha anche la funzione di ricavare il
segnale per pilotare lo stadio mixer del ricevitore: l’ulteriore
amplificazione è garanzia di maggiore stabilità. Le bobine L1, L2 ed L3
si avvolgono sui soliti supporti plastici del diametro di 5 mm, muniti di
nucleo di ferrite e schermo metallico, utilizzando del filo di rame smaltato
da 0,25 mm di diametro. Le spire da avvolgere sono 17-18. A questo stadio, accordato sui 14 MHz, seguono altri due, pure accordati, che operano una prima amplificazione capace di pilotare il finale, nella fattispecie un mosfet di potenza dal costo ragionevolmente più basso del solito e delicato transistor giapponese del tipo 2SC1969. Da prove effettuate, ma sarebbe forse meglio dire dopo innumerevoli imperizie, il mosfet in questione è risultato molto insensibile a svariate sevizie: non esagerate però. Il trimmer P serve a regolare la tensione di polarizzazione del gate di Q attorno a 4 V. La tensione a monte di P proviene dal collettore del transistor Q1 del modulo delle commutazioni. In fase di taratura un eventuale piccolo ritocco di P permetterebbe di ottenere una potenza anche superiore ai canonici 5 W che definiscono un apparato QRP: ma questo è un altro discorso. Nel modulo del finale di potenza il mosfet Q, opportunamente isolato con mica e spalmato di grasso ai siliconi per facilitare lo smaltimento del calore, dovrà essere imbullonato su un congruo dissipatore oppure avvitato direttamente alla spessa lamiera del contenitore. Praticare, con un seghetto da traforo, secondo la linea tratteggiata, una finestra attraverso la quale far aderire il transistor al dissipatore. Il circuito stampato del finale di potenza è a doppia faccia di rame mentre gli altri sono a semplice traccia. In fase di taratura regolare i nuclei di L1, L2 ed L3 per la massima uscita misurata su un tester in portata voltmetrica impiegando un carico fittizio QRP 50 W composto come in figura rammentando, ad esempio, che ad una tensione RF di 20 V, corrispondono circa 4 W secondo la formula: P=V2/2*R P=202/2*50 = P=400/100 = 4 W La bobina-trasformatore contrassegnata T è costituita da un nucleo in ferrite a doppio foro del tipo per balun: avvolgere per il primario una sola spira di filo di rame ricoperto di plastica del tipo per impianti telefonici e per il secondario 4 spire di filo di rame smaltato da 0.25 mm di diametro. La bobina H2 che costituisce, assieme a C6 e C7 il filtro passa basso, si costruisce con un nucleo toroidale di ferrite del tipo T50/6 (giallo-nero): avvolgere 15-16 spire di filo di rame smaltato di 0.5 mm di diametro. Per chi volesse realizzare il finale di potenza per la banda dei 40 m deve lasciare inalterato il trasformatore T e impiegare un toroide di ferrite del tipo T68/2 (rosso-nero) avvolgendo 18 spire di filo di rame smaltato da 0,25 mm di diametro. I condensatori C6 e C7 assumeranno il valore di 470 pF. |
| Circuito elettrico pilota | |
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| Circuito stampato pilota | |
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| Layout dei componenti pilota | |
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| Circuito elettrico finale | |
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| Circuito stampato finale | |
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| Layout dei componenti finale | |
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| Sonda a RF | |
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| Wattmetro | |
| Lista dei componenti | |
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PILOTA R1= 10k R2= 3,9k R3=330 R4= 10k
R5=10k R6= 100 R7=10k R8= 10k R9= 47 C1=
100 nF C2= 10 nF C3= 220 pF C4= 22 Pf C5 = 10
nF C6= 3,3 pF C7= 10 nF C8= 100 nF C9=
10 nF C11 = 10 nF C12 = 10 nF C13= 100 nF C14 = 10 nF C15= 22 pF C16 = 10 nF C17 = 10 nF Q1= 2N2222 Q2= 2N2222 Q3 = 2N3866 H1=VK200 H2= VK200 H3= VK200 L1 - L2 - L3 = Leggi testo |
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| FINALE R1= 1k P= 4,7 k Trimmer orizzontale C1= 100 μF C2= 100 nF C3= 10 nF C4= 1 nF C5= 100 nF C6= 220 pF C7= 220 pF Q= IRF624 IC= 87L05 Regolatore di tensione H!= VK200 H2= Leggi testo | |
| SONDA RF C1= 47 pF D1= D2= 1N4148 C2= 10 nF | |
| WATTMETRO R1=R2=R3= 150 Ω 1 W C1= 100 nF C2= 10 nF D1= 1N4\148 H= VK200 S= Interruttore in miniatura | |
